Clipped Sine出力の TCXO を矩形波に変換する参考例
※ +3.3VddのClipped Sine出力のTCXOをCMOSレベルの出力に変換する回路例です。
この例では簡単な回路構成で位相ノイズの劣化を抑えてレベルを変換できます。
| ・TCXO型番 | T6509 (20MHz) → データシート  |
| ・Vdd | +3.3V |
| ・インバーターIC | TC7SZ04F (東芝) |
※ Test Point 手前の『51Ω』はオーバーシュート抑制のダンピング抵抗です。
値は数Ω〜100Ωの間程度で実際基板上で波形確認しながら調整されることをお勧めします。
（ 使用するインバーターICの特性および後段の負荷条件によりオーバーシュートの出方が変わってきます）
インバーターICはプッシュプルタイプのものを使用します。
（オープンドレインのものは適していません）
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TCXOからの出力波形 （波形変換前） |
波形変換後 Test Pointでの出力波形 |
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波形変換後の位相ノイズ特性例
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波形変換後の温度特性例 |
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ノイズフロア：約-158dBc/Hz ※ 赤のラインは T6509 仕様値 (Typicai値)です。 |
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（資料参考元） CLIPPED SINEWAVE TO CMOS CONVERSION CIRCUIT
( Ramon M. Cerda CRYSTEK CORPORATION September 8, 2010 )
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